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6A致冷晶片家族排排站,

由右至左分別是陶瓷基板TEC1-12706,TEC1-12706AJ,C1206,鋁直基板TEM1-12706以及陶瓷基板雙層C1206,

效能是由右而左越來越好,價格當然是由右而左越來越貴,尤其是鋁質基板TEM1-12706最高貴

致冷晶片是採用熱電效應中的帕爾帖效應所製作出來的產品。

當晶片的紅線接上正極,黑線接上負極,編號面將會變冷,另一面則會發熱，可應用在小空間空調、水溫冷卻及除濕等。

熱電效應是一個由溫差產生電壓的直接轉換，且反之亦然。簡單的放置一個熱電裝置，當他們的兩端有溫差時會產生一個電壓，而當一個電壓施加於其上，他也會產生一個溫差。這個效應可以用來產生電能、測量溫度，冷卻或加熱物體。因為這個加熱或製冷的方向決定於施加的電壓，熱電裝置讓溫度控制變得非常容易。

一般來說，熱電效應這個術語包含了三個分別經定義過的效應，塞貝克效應（Seebeck effect，由Thomas Johann Seebeck發現 。）、帕爾帖效應（Peltier effect，由Jean-Charles Peltier發現。），與湯姆森效應（Thomson effect，由威廉·湯姆森發現）。在很多教科書上，熱電效應也被稱為帕爾帖-塞貝克效應（Peltier–Seebeck effect）。它同時由法國物理學家晉·查理·阿提鞍斯·帕爾帖（Jean Charles Athanase Peltier）與愛沙尼亞裔德國物理學家托馬斯·約翰·塞貝克 （Thomas Johann Seebeck）分別獨立發現。 還有一個術語叫焦耳加熱，也就是說當一個電壓通過一個阻抗物質上，即會產生熱，它是多少有關係的，儘管它不是一個普通的熱電效應術語（由於熱電裝置的非理想性，它通常被視為一個產生損耗的機制）。帕爾帖-塞貝克效應與湯姆森效應是可逆的，但是焦耳加熱不可逆。

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致冷晶片編碼

TE:為Thermoelectric的簡稱，意為熱電致冷晶片。

C:為Ceramic的簡稱，意為陶瓷表面。有些時候此處為S，意為小型晶片。晶粒的長與寬尺寸<１mm就歸類為小型晶片。

1:為層級數

127:為晶粒P型及N型的總對數

05:最高工作電流值。如果第二項的代號為S，則最後一位數字之前，有一小數點。

TT:外表面狀態。TT為雙表面金屬化，T為單表面金屬化。不表示為無金屬化。

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